12 Macronix MX29F040CQI-70G 4M-Bit Single Voltage 5V Only Flash Memory 32-PLCC

Ограничение на консумацията на мощностМакс : 500 Mw.Работно напрежение : 1,8 V Права ток : 10 ma.Forward Voltage : 0.95 V...

Напрежение стабилитрон (Н) (Вз) : 33 V Допускане : ±5%.Максимална мощност : 1 Ват.Импеданс (Max) (Zzt) : 45 Ома.Ток

✦[Високо качество] Диод QLOUNI осигурява ниско директен пад на напрежение, висока токовую способност, висо

Максимална мощност : 350 Mw.Работно напрежение : 22 V Права ток : 10 ma.Forward Voltage : 0.9 V Reverse Current Max : 0.1 μA.BZX84 C22 Series 350 m

Mfr : Vishay General Semiconductor Diodes Дивизия.Серия : Автомобили, АЕЦQ101 Съдържание на пакета : Лента и макара (TR).Състо�

Максимална мощност : 225 Mw.Работно напрежение : 24 V Права ток : 10 ma.Forward Voltage : 0.9 V Reverse Current Max : 50 n A.BZX84 C24 LT1 Series 22

Ограничение на консумацията на мощностМакс : 500 Mw.Работно напрежение : 3,9 V Права ток : 200 ma.Пряко напрежени

Напрежение стабилитрон (Nom) (Vz) : 6,8 Век Допуск : ±5%.Максимална мощност : 500 Mw.Импеданс (Макс) (Zzt) : 2,5 Ω.Ток �

Ограничение на консумацията на мощностМакс : 500 Mw.Работно напрежение : 5,6 Век Прав ток : 200 ma.Предното напр�

Напрежение Стабилитрон (Nom) (Vz) : 13 Век Допуск : Максимална мощност 800 Mw.Импеданс (Макс) (Zzt) : 10 Ома.Ток Об�

Напрежение стабилитрон (Н) (Вз) : 200 Lv Допуск : ±5%.Максимална мощност : 1 Ват.Импеданс (Max) (Zzt) : 1,5 Ком.Ток О�

Ниска изтичане на ток.Добра преумора.Силиконовата дизайн Номинален ток 60А.Катодный корпус.NTE Electronics NTE6040

Брой детайли : BZX79C18,113 Опаковка : ALF2 Описание : ДИОД, СТАБИЛИТРОН 18 V 500МВТ ДО35 Брой детайли : BZX79C18,113пакет : AL

Размери на опаковката : 0.1 H x 6.25 L x 3.7 W (инча).Тегло на опаковката : 0,2 кг.Страна на произход : Япония.Брой на �

Напрежение стабилитрон (Nom) (Vz) : 9,1 V Допускане : ±5%.Максимална мощност : 3 Вата.Импеданс (Max) (Zzt) : 4 Ома.Ток

Брой детайли : 1 N5376 B.Опаковка : Т18 Описание : ДИОД, СТАБИЛИТРОН 87В 5ВТ на Т18 Брой детайли : 1n5376bпакет : T18 Descrip

Чипове Gate, основана през 2010 г., е професионален инструмент за възлагане на обществени поръчки за B2 B и B2 C �

Размери на опаковката : 15.2 H x 2.5 L x 5.1 W (сантиметри).Тегло на опаковката : 0,023 кг., Страна на произход : САЩ.Бр�

Напрежение Стабилитрон (Nom) (Vz) : 6,8 Век Допуск : Максимална мощност 800 Mw.Импеданс (Макс) (Zzt) : 3 Ома.Ток Об�

Power Dissipation LimitMax : 250 Mw.Работно напрежение : 5,6 Век Прав ток : 10 ma.Forward Voltage : 0.9 V Reverse Current Max : 1 µA.BZX84 Series 5.6 V ±5 % 250